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霍山石斛家庭怎麼養

發布時間:2021-06-28 06:00:04

1. 霍山盆栽石斛家庭種植方法注意哪些

霍山仙斛蘭韻盆栽石斛家庭種植方法要注意,通,透,漏,通風,透氣,漏水,石斛喜歡溫暖濕潤的環境,不要太陽直射。

2. 石斛在家庭中養殖的方法有哪些

下面就幾點養護要點做下說明:

1、種植基質栽培基質是鐵皮石斛生長的基礎,鐵皮石斛是氣生根特性,所需基質必須透氣保濕。要專用的種植基質才能生長(千萬不能用泥土)。家庭種植推薦路寬石斛基質,生態工藝用於有機種植,安全營養又方便。

2、溫度適宜石斛生長的溫度在15-30°,在5°以下停止生長。氣溫過高,超過35度也會停止生長。因此,氣溫過低時應注意防凍,冬季需移入室內使其環境溫度保持0°以上。氣溫過高時應注意防曬,移到陰涼通風的地方。

3、水分石斛適合的濕度在60%左右,平時可葉面噴霧。陰雨天,濕度大時需要放通風處。平時澆水一次性澆透,基質表面下2-3厘米處乾燥了再澆透,見干見濕的原則。理想的狀態是保持干而不燥,濕而不澇。

4、陽光石斛雖然喜歡陰涼的環境條件 , 但也不能長期處在沒有光照的地方。最好能有早晚照到陽光及有散射光的地方養護。有條件可以冬季30%遮陽,其他季節70%遮陽。或是其他大型植物的陰涼下。

6、施肥鐵皮石斛、霍山米斛等一般在每年的4-10月份是生長期,7-10天可以施肥一次,薄肥勤施,不可重施造成肥害。家庭種植推薦有機肥。

7、生長規律鐵皮石斛的生長規律是3-4月初芽萌發,5-6月莖上開花,進入冬季氣溫降低會有黃葉落葉現象。

8、採收

選取頂端封頂的莖條,沿莖部剪下(留兩節以便有營養支撐發新芽)。榨汁、煮茶、燉湯均可。

3. 霍山石斛的栽培技術

霍山石斛為蘭科多年生附生草本植物,蘭科植物對水分需要量不大,在自然條件下,鐵皮石斛在冬季處於休眠狀態,不需要過高水分。在生長季節,霍山石斛需要潮濕的環境條件,濕度一般在60%—80%。野生石斛在自然條件下,生長在通風的林中,莖健壯,病害少。野生石斛通過根系吸收根際微生物,分解樹桿上的動植物殘體及空氣中的養分,供給自身需求。

由此可見光照、溫度、水分、氣、肥5大因素決定了鐵皮石斛種植的成敗。得出種植鐵皮石斛時,應該在光照、溫度、水分、氣、肥方面注意些什麼

4. 霍山石斛好不好養自己可以養嗎

養是可以的,但是自己養出來的質量不好

5. 怎樣家庭養殖石斛

6. 都說霍山石斛營養高,但是要怎麼吃才最好呢

泡水喝、煲湯、燉肉都可以啊,以前都是這么吃的,不過現在我都是吃霍山石斛膠囊了,又方便營養更好,可以去搜索了解下。

7. 石斛如何在家庭里養殖

觀賞的鐵皮石斛
石斛蘭與卡特蘭、蝴蝶蘭、萬帶蘭並列為四大熱帶觀賞蘭類,是蘭科中最大的屬之一。根據其生物學特徵及對生態要求的不同,可將它分為落葉類石斛與常綠石斛兩大類。
石斛蘭品種較多,目前常見觀賞栽培的有密花石斛、球花石斛、蝴蝶石斛、金釵石斛、報春石斛、美花石斛、香石斛等。石斛花形、花姿優美,是重要的切花、盆栽品種。
要養好石斛蘭,可從以下幾方面入手:
遮光。石斛蘭在原產地常附生在熱帶雨林中的樹干或岩石上,喜半陰環境。在春、夏生長旺盛期,可遮光60%-70%,但在冬季休眠期需要較多的陽光,一般可遮光20%-30%,或不遮光。
保溫。石斛蘭喜高溫高濕,落葉類石斛越冬的溫度夜間可低至10℃左右或更低,常綠種類則不可低於15℃,同時要注意保持較大的晝夜溫差(10-15℃),溫差過小會嚴重影響石斛蘭的生長和開花。
適當澆水。石斛蘭需充足的水分,但又忌過於潮濕,過濕會導致植株生長不良、爛根甚至死亡。落葉類石斛在冬季可適當保持乾燥,少澆水,但盆栽材料的空氣濕度不宜太低。常綠種類如果冬季溫室溫度高,就需保持充足水分。
經常噴霧。天晴乾熱的生長季節,應經常向植株周圍噴水,以提高空氣濕度。雨季濕度較大,可停止噴霧,並注意不要讓花盆積水。
合理施肥。石斛蘭喜薄肥勤施,生長期間每隔7-10天施一次腐熟的餅肥水,或根外追施0.1%的全元素復合肥。落葉種類在休眠期間及常綠種類因低溫而強迫休眠時,應停止施肥。

8. 霍山石斛作為家庭盆栽如何種植

1 分株繁殖:
選擇生長較密的值株.開過花後.將其從盆中取出,除去老很從叢生莖的基部切開,分切時盡最少傷根系,只掩剪開相互連接的很狀呈部位,根部用手位開,不必用刀切。以主株為一組,再將老根進一步剪除。將新芽靠近盆中央,填入新的基質並壓實,即成新的植株。
2 分芽繁殖:
盆裁3年以上的植株或部分秋石斛莖的頂部或基部長有小植株時,可以進行切芽繁殖。選擇具有3~4片葉,2~3條根,根長4~5厘米的小植株,從母株上切下,用草木灰或70%的代森錳鋅處理傷口,將苗植入盆中即可。汪意要淺植。栽培2年後一般可開花成為商品花。
3 扦插繁殖:
扦插繁殖可以結合花後換盆和分株時一起進行。石觸蘭多具有細長、帶肉質的莖,莖上有許多節,節上能長芽,所以能用扦播繁殖。選擇未開花且較充實的整做播條,將技條切成數段,每段具2~3個節,在傷口上塗上草木灰或70%的代森錳鋅處理傷口。將莖一段一段地插入苔蘚和泥炭混合的基質中,一半露在外面,放於半陰、潮濕處。插後1周不必澆水,然後經常噴霧保濕,適當遮陰。經過1~2個月,在節部有新芽長出,新芽下部長出2~3條小根形成新的植株。將新植株連向老莖一起上盆,栽培2~3年可開花。扦插時間以4~8月為好。

9. 在家中如何種植霍山石斛

1 分株繁殖:
選擇生長較密的值株.開過花後.將其從盆中取出,除去老很從叢生莖的基部切開,分切時盡最少傷根系,只掩剪開相互連接的很狀呈部位,根部用手位開,不必用刀切。以主株為一組,再將老根進一步剪除。將新芽靠近盆中央,填入新的基質並壓實,即成新的植株。
2 分芽繁殖:
盆裁3年以上的植株或部分秋石斛莖的頂部或基部長有小植株時,可以進行切芽繁殖。選擇具有3~4片葉,2~3條根,根長4~5厘米的小植株,從母株上切下,用草木灰或70%的代森錳鋅處理傷口,將苗植入盆中即可。汪意要淺植。栽培2年後一般可開花成為商品花。
3 扦插繁殖:
扦插繁殖可以結合花後換盆和分株時一起進行。石觸蘭多具有細長、帶肉質的莖,莖上有許多節,節上能長芽,所以能用扦播繁殖。選擇未開花且較充實的整做播條,將技條切成數段,每段具2~3個節,在傷口上塗上草木灰或70%的代森錳鋅處理傷口。將莖一段一段地插入苔蘚和泥炭混合的基質中,一半露在外面,放於半陰、潮濕處。插後1周不必澆水,然後經常噴霧保濕,適當遮陰。經過1~2個月,在節部有新芽長出,新芽下部長出2~3條小根形成新的植株。將新植株連向老莖一起上盆,栽培2~3年可開花。扦插時間以4~8月為好。
END
注意事項

栽培石斛通常選用四壁多孔的塑料或陶瓷花盆,用松樹皮塊、花生殼、鋸末、木炭塊等作盆栽材料。根據石斛苗的大小,選擇不同規格的花盆,但不宜用大盆栽小苗口上述栽好材料在使用前必需在清水中浸泡1天以上備用。盆底要多墊大瓦片或碎磚塊,深度至盆底約1/3處,然後將石斛苗放於盆中央,並在一旁插一細竹竿以固定石斛苗,再填入其他栽培材料,注意根與根之間用材料隔開,輕輕將材料壓緊口栽好的蘭盆先放在陰涼陰涼並有散射光處,僅向葉面上噴些水,勿向盆內澆水。約10~15天後,待萌發出新根後兩移至陰棚下養護。生長季節澆水要干濕相間保持適度干薄餅肥水。生長旺盛期樹每天澆水一次,乾旱季節和炎夏還需經常在花盆四周地面上噴水,以保持較高的空氣濕度,並要注意通風良好。冬季休眠期應少澆水。石斛忌強光直射,春秋兩季早上可見陽光,冬季可置光照充足處,其他時間置於具有明亮散射光而又通風的地方。越冬溫度保持在8~10℃即可。

10. 如何種植霍山石斛


1 分株繁殖:
選擇生長較密的值株.開過花後.將其從盆中取出,除去老很從叢生莖的基部切開,分切時盡最少傷根系,只掩剪開相互連接的很狀呈部位,根部用手位開,不必用刀切。以主株為一組,再將老根進一步剪除。將新芽靠近盆中央,填入新的基質並壓實,即成新的植株。
2 分芽繁殖:
盆裁3年以上的植株或部分秋石斛莖的頂部或基部長有小植株時,可以進行切芽繁殖。選擇具有3~4片葉,2~3條根,根長4~5厘米的小植株,從母株上切下,用草木灰或70%的代森錳鋅處理傷口,將苗植入盆中即可。汪意要淺植。栽培2年後一般可開花成為商品花。
3 扦插繁殖:
扦插繁殖可以結合花後換盆和分株時一起進行。石觸蘭多具有細長、帶肉質的莖,莖上有許多節,節上能長芽,所以能用扦播繁殖。選擇未開花且較充實的整做播條,將技條切成數段,每段具2~3個節,在傷口上塗上草木灰或70%的代森錳鋅處理傷口。將莖一段一段地插入苔蘚和泥炭混合的基質中,一半露在外面,放於半陰、潮濕處。插後1周不必澆水,然後經常噴霧保濕,適當遮陰。經過1~2個月,在節部有新芽長出,新芽下部長出2~3條小根形成新的植株。將新植株連向老莖一起上盆,栽培2~3年可開花。扦插時間以4~8月為好。

注意事項
栽培石斛通常選用四壁多孔的塑料或陶瓷花盆,用松樹皮塊、花生殼、鋸末、木炭塊等作盆栽材料。根據石斛苗的大小,選擇不同規格的花盆,但不宜用大盆栽小苗口上述栽好材料在使用前必需在清水中浸泡1天以上備用。盆底要多墊大瓦片或碎磚塊,深度至盆底約1/3處,然後將石斛苗放於盆中央,並在一旁插一細竹竿以固定石斛苗,再填入其他栽培材料,注意根與根之間用材料隔開,輕輕將材料壓緊口栽好的蘭盆先放在陰涼陰涼並有散射光處,僅向葉面上噴些水,勿向盆內澆水。約10~15天後,待萌發出新根後兩移至陰棚下養護。生長季節澆水要干濕相間保持適度干薄餅肥水。生長旺盛期樹每天澆水一次,乾旱季節和炎夏還需經常在花盆四周地面上噴水,以保持較高的空氣濕度,並要注意通風良好。冬季休眠期應少澆水。石斛忌強光直射,春秋兩季早上可見陽光,冬季可置光照充足處,其他時間置於具有明亮散射光而又通風的地方。越冬溫度保持在8~10℃即可。

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