金釵石斛育苗

1. 石斛怎樣。繁殖

石斛人工繁殖有扦插和分株兩種

2. 金釵發芽可以放到栽不

（一）繁殖技術
石斛的繁殖方法分為有性繁殖和無性繁殖兩大類，目前生產上主要採用無性繁殖方法。
1、有性繁殖即種子繁殖。石斛種子極小，每個蒴果約有20000粒，呈黃色粉末狀，通常不發芽，只在養分充足、濕度適宜、光照適中的條件下才能萌發生長，一般需在組培室進行培養。不過，盡管石斛繁殖系數極高，但其有性繁殖的成功率極低。
2、無性繁殖
（1）分株繁殖：在春季或秋季進行，以3月底或4月初石斛發芽前為好。選擇長勢良好、無病蟲害、根系發達、萌芽多的1～2年生植株作為種株，將其連根拔起，除去枯枝和斷技，剪掉過長的須根，老根保留3厘米左右，按莖數的多少分成若干叢，每叢須有莖4～5枝，即可作為種莖。
（2）扦插繁殖：在春季或夏季進行，以5～6月為好。選取三年生生長健壯的植株，取其飽滿圓潤的莖段，每段保留4～5個節，長約15～25厘米，插於蛭石或河砂中，深度以莖不倒為度，待其莖上腋芽萌發，長出白色氣生根，即可移栽。一般在選材時，多以上部莖段為主，因其具頂端優勢，成活率高，萌芽數多，生長發育快。
（3）高芽繁殖：多在春季或夏季進行，以夏季為主。三年生以上的石斛植株，每年莖上都要萌發腋芽，也叫高芽，並長出氣生根，成為小苗，當其長到5～7厘米時，即可將其割下進行移栽。
（4）離體組織培養繁殖：金釵石斛可採用下述方法組培快繁試管苗。將金釵石斛的葉片、嫩莖、根經常規消毒後，切成0.5～1厘米作外植體，採用 MS和B5作為基本培養基，並分別附加植物激素如 NAA（0.05～1.5mg／L）、IAA（0.2～1.0mg／L）、6－BA（1.0～5.0mg／L）等不同激素組合的多種培養基，培養基pH5.6～6.0，培養溫度25℃～28℃，每天光照9～10 小時，光照強度1800～1900lx條件下進行組織培養。19天後，莖葉處出現小芽點，約1個月後，小芽伸長，尖端分叉，2個月後，小芽長成高約2.0～2.7厘米，具4～8個葉片的試管苗。而葉片和根的切段無變化。並發現，在培養基不同配方組合中，MS比B5基本培養基對生長速度具有明顯優勢。
（二）鐵皮石斛種植的附主選擇與選地整地
1、附主選擇
鐵皮石斛為附生植物，附主對其生長影響較大。石斛既不同於糧食作物，也不同於其它經濟作物，糧食作物和經濟作物都是靠主根、側根、須根在土壤中吸收水分和養分，而石斛則是靠裸露在外的氣生根在空氣中吸收養份和水分，糧食和其它作物的載體是土壤，石斛的載體是岩石，礫石或樹干；即石斛的附主既可是岩石、礫石，也可是樹乾等。
若選擇鐵皮石斛附主（生產地）為岩石或礫石時，則應選砂質岩石或石壁或亂石頭（有葯農稱之為「石旮旯」）之處，並要相對集中，有一定的面積，而且陰暗濕潤，岩石上生長有苔蘚（有葯農稱之為「地簡皮」），周圍有一定闊葉樹作為遮蔭樹的地方作為發展石斛附主進行生產。
若選擇樹干為附主時，則應選樹冠濃密，葉草質或蠟質，皮厚而多縱溝紋，含水分多並常有苔蘚植物生長的闊葉樹種為附主發展石斛生產。
若選擇蔭棚栽培石斛，則應選在較陰濕的樹林下，用磚或石砌成高15厘米的高廂，將腐殖土、細沙和碎石拌勻填入廂內，平整，廂面上搭100～120厘米高的蔭棚進行石斛生產。
石斛通常附生於岩石或樹幹上，對生長環境有特殊的要求，用地栽方法是不能成活的。如把石斛栽培於大樹幹上或石縫中需3～5年後才能旺盛生長，見效緩慢。因此，研究石斛的馴化栽培方法，篩選適合石斛生長的基質對石斛資源恢復相當重要。若將生長在大樹幹上或岩石、石壁、石縫及石礫等環境中的石斛移到地面馴化栽培時，必須具備其適宜的栽培基質。經實驗研究，現己對8種石斛人工栽培基質出進行了比較篩選，結果表明鋸木屑及石灰岩顆粒是最優的栽培材料，為石斛新附主選擇，發展石斛生產開拓了新路。本實驗研究的試驗材料為金釵石斛試驗苗

3. 板植金釵石斛怎麼養

編輯本段【繁殖方法】 常用分株、扦插和組培繁殖。 ①分株繁殖 春季結合換盆進行。將生長密集的母株，從盆內托出，少傷根葉，把蘭苗輕輕掰開，選用3～4株栽15厘米盆，有利於成型和開花。 ②扦插繁殖 選擇未開花而生長充實的假鱗莖、從根際剪下，再切成每2～3節一段，直接插入泥炭苔蘚中或用水苔包紮插條基部，保持濕潤，室溫在18～22℃，插後30～40天可生根。待根長3～5厘米盆栽。 ③組培繁殖 常以莖尖、葉尖為外植體，在附加2，4－D0．15～0．5毫克／升、6－苄氨基腺嘌呤0．5毫克／升的MS培養基上，其分化率可達1：10左右。分化的幼芽轉至含有活性炭。椰乳的MS培養基中（附加2，4－－D和6－苄氨基腺嘌呤各0．1毫克／升），即能正常生長，形成無根幼苗，將幼苗轉入含有吲哚丁酸0．2～0 ．4毫克／升的MS培養基中，能夠誘導生根，形成具有根、莖、葉的完整小植株。 編輯本段【栽培管理】 盆栽石斛需用泥炭苔蘚、蕨根、樹皮塊和木炭等輕型、排水好、透氣的基質。同時，盆底多墊瓦片或碎磚屑，以利於根系發育。栽培場所必須光照充足，對石斛生長、開花更加有利。春、夏季生長期，應充分澆水，使假球莖生長加快。9月以後逐漸減少澆水，使假球莖逐趨成熟，能促進開花。生長期每旬施肥1次，秋季施肥減少，到假球莖成熟期和冬季休眠期，則完全停止施肥。栽培2～3年以上的石斛，植株擁擠，根系滿盆，盆栽材料已腐爛，應及時更換。無論常綠類或是落葉類石斛，均在花後換盆。換盆時要少傷根部，否則遇低溫葉片會黃化脫落。 編輯本段【病蟲害防治】 常有黑斑病、病毒病危害，可用10％抗菌劑401醋酸溶液1000倍液噴灑。蟲害有介殼蟲危害，用40％氧化樂果乳油2000倍液噴殺。 編輯本段【產後處理】 石斛花姿優美，色彩新艷，盆栽擺放陽台、窗檯或吊盆懸掛客室、書房，凌空潑灑，別具一格。在歐美常用石斛花朵製作胸花，配上絲石竹和天冬草，真有歡迎光臨之意。至今，廣泛用於大型宴會，開幕式剪綵典禮，享受貴賓待遇。在許多國家把石斛作為每年6月19日的父親節之花。

4. 怎樣家庭養殖石斛

• 光照：石斛需要放置在光線比較充足的地方養護，但要避免陽光直曬。

• 溫度：石斛最適宜生長的溫度為15~30℃，最高不要超過35℃，最低不低於5℃。

• 水分：基質水分只有3~4成時澆水。一般夏季每隔2~3天澆水一次，每次澆透；春、秋季每隔1周澆水一次，每次澆透；冬季每隔10天澆水一次，每次半透。

• 濕度：石斛適合比較高的濕度環境。

• 通風：應在通風良好的環境中，確保空氣中的氧氣含量。

• 除草：應除去石斛盆栽中的雜草，苔蘚，菌類等與石斛競爭的植物。

• 除蟲：要注意各種昆蟲、老鼠等病蟲害的影響。

5. 霍山石斛苗的栽培技術

石斛的繁殖方法分為有性繁殖和無性繁殖兩大類，目前生產上主要採用無性繁殖方法。
1. 有性繁殖即種子繁殖。石斛種子極小，每個蒴果約有20 000粒，呈黃色粉末狀，通常不發芽，只在養分充足、濕度適宜、光照適中的條件下才能萌發生長，一般需在組培室進行培養。不過，盡管石斛繁殖系數極高，但其有性繁殖的成功率極低。
2．無性繁殖
（1）分株繁殖：在春季或秋季進行，以3月底或4月初石斛發芽前為好。選擇長勢良好、無病蟲害、根系發達、萌芽多的1～2年生植株作為種株，將其連根拔起，除去枯枝和斷技，剪掉過長的須根，老根保留3厘米左右，按莖數的多少分成若干叢，每叢須有莖4～5枝，即可作為種莖。
（2）扦插繁殖：在春季或夏季進行，以5～6月為好。選取三年生生長健壯的植株，取其飽滿圓潤的莖段，每段保留4～5個節，長約15～25厘米，插於蛭石或河砂中，深度以莖不倒為度，待其莖上腋芽萌發，長出白色氣生根，即可移栽。一般在選材時，多以上部莖段為主，因其具頂端優勢，成活率高，萌芽數多，生長發育快。
（3）高芽繁殖：多在春季或夏季進行，以夏季為主。三年生以上的石斛植株，每年莖上都要萌發腋芽，也叫高芽，並長出氣生根，成為小苗，當其長到5～7厘米時，即可將其割下進行移栽。
（4）離體組織培養繁殖：金釵石斛可採用下述方法組培快繁試管苗。將金釵石斛的葉片、嫩莖、根經常規消毒後，切成0.5～1厘米作外植體，採用 MS和B5作為基本培養基，並分別附加植物激素如 NAA（0.05～1.5mg/L）、IAA（0.2～1.0mg/L）、6－BA（1.0～5.0mg/L）等不同激素組合的多種培養基，培養基pH5.6～6.0，培養溫度25～28℃，每天光照9～10 小時，光照強度1800～1900lx條件下進行組織培養。19天後，莖葉處出現小芽點，約1個月後，小芽伸長，尖端分叉，2個月後，小芽長成高約2.0～2.7厘米，具4～8個葉片的試管苗。而葉片和根的切段無變化。並發現，在培養基不同配方組合中，MS比B5基本培養基對生長速度具有明顯優勢。 1. 附主選擇石斛為附生植物，附主對其生長影響較大。石斛既不同於糧食作物，也不同於其它經濟作物，糧食作物和經濟作物都是靠主根、側根、須根在土壤中吸收水份和養分，而石斛則是靠裸露在外的氣生根在空氣中吸收養份和水份，糧食和其它作物的載體是土壤，石斛的載體是岩石，礫石或樹干；即石斛的附主既可是岩石、礫石，也可是樹乾等。
若選擇石斛附主（生產地）為岩石或礫石時，則應選砂質岩石或石壁或亂石頭（有葯農稱之為「石旮旯」）之處，並要相對集中，有一定的面積，而且陰暗濕潤，岩石上生長有苔蘚（有葯農稱之為「地簡皮」），周圍有一定闊葉樹作為遮蔭樹的地方作為發展石斛附主進行生產。
若選擇樹干為附主時，則應選樹冠濃密，葉草質或蠟質，皮厚而多縱溝紋，含水分多並常有苔蘚植物生長的闊葉樹種為附主發展石斛生產。
若選擇蔭棚栽培石斛，則應選在較陰濕的樹林下，用磚或石砌成高15厘米的高廂，將腐殖土、細沙和碎石拌勻填入廂內，平整，廂面上搭100～120厘米高的蔭棚進行石斛生產。
石斛通常附生於岩石或樹幹上，對生長環境有特殊的要求，用地栽方法是不能成活的。如把石斛栽培於大樹幹上或石縫中需3～5年後才能旺盛生長，見效緩慢。因此，研究石斛的馴化栽培方法，篩選適合石斛生長的基質對石斛資源恢復相當重要。若將生長在大樹幹上或岩石、石壁、石縫及石礫等環境中的石斛移到地面馴化栽培時，必須具備其適宜的栽培基質。經實驗研究，現己對8種石斛人工栽培基質出進行了比較篩選，結果表明鋸木屑及石灰岩顆粒是最優的栽培材料，為石斛新附主選擇，發展石斛生產開拓了新路。本實驗研究的試驗材料為金釵石斛試驗苗（采自貴州赤水市長沙鎮），栽培用的基質為：① 洋松的鋸木屑；② 木質中葯渣；③ 直徑 1厘米以下的石灰岩顆粒；④ 5 厘米以下的砂頁岩石碎塊；⑤ 石灰岩顆粒加鋸木屑；⑥ 河沙；⑦ 碎磚塊加鋸木屑；⑧ 稻殼。試驗方法與處理：用高約20厘米的舊木箱和磚塊切成大小約 1200～1330 平方厘米的方格，內盛試驗處理的各種基質，於3月初各栽種石斛苗1kg。設重復3次（稻穀殼處理重復2次）。管理方法：主要在4～9月每半月灑施一次含有N、P、K、Ca、Mg、S、Fe、Na、Zn、Cu、Mo、Mn、B等元素的復合營養液。11月連根拔出，抖掉根部基質後，測定產量，並觀察和分析生長情況。結果表明，各栽培基質處理大都存在著顯著差異。與鋸木屑栽培的作比較，除石灰岩顆粒、石灰岩顆粒加鋸木屑2個處理外，都存在著顯著差異。據觀察，鋸木屑栽培的石斛一直生長旺盛；石灰岩顆粒及其加鋸木屑的2個處理也較好；木質中葯渣栽培的石斛前期生長較好，但後來隨著中葯渣的腐爛，出現生長停滯、根系腐爛；砂頁岩碎塊基質的石斛根系生長較緩慢，是造成產量低的原因；其它基質栽培的石斛則一直處於生長不良狀況。
從上研究可見，石斛馴化栽培首要因素是必須提供其根系良好的生長環境。鋸木屑因其疏鬆透氣，又能保持水分及肥料，適合根系生長的要求。石灰岩顆粒加適量鋸木屑或單純的石灰岩顆粒也不失為石斛栽培的較好基質，特別是在長江流域禁伐區，鋸木屑來源受到嚴重影響的情況下，石灰岩顆粒則是石斛栽培的良好材料。另外，稻殼雖似與鋸木屑差異不大而易得，但其實際保水能力極差；河砂栽培石斛也很難長根，均不宜作栽培基質。
2. 選地整地根據不同地區，不同條件，不同品種對質地的要求，栽種石斛時要先進行地塊整理，其基本要求是：在大塊的岩石上栽種石斛時，應在石面上用鑽子按株、行距 30×40厘米的間距打窩，窩深5～10厘米左右。打的石花放在石面上（留著壓根之用），在石面較低一方打一個小出水口，以防積水引起基部腐爛，打窩時應保護好石面上其它部位的苔蘚。在小礫石上栽種石斛時，將地內雜草、雜枝除去，預留好遮蔭樹，將過多過密的小雜樹清除，以利增加透光程度和太陽的斜曬力度。
此外，還可選擇適宜場所進行樹栽、牆栽、盆栽，或種於石縫、岩壁及其人工栽培基質上進行石斛種植。 石斛栽種宜選在春（3～4月）秋（8～9月）季栽種為好，尤以春季栽種比秋季栽種更宜。這主要是充分利用陽春三月，氣候回升，風和日暖，春雨如油，萬物復甦的黃金季節，適宜的溫濕度，日照，雨水等條件，有利於刺激石斛莖基部的腋芽迅速萌發，同時長出供幼芽吸收養份、水份的氣生根，達到先根、後芽的生長目的。秋季種植是利用秋天的適宜溫度（適宜在小陽春前）引發根系生長，但根的質量、數量，長速都不及春季。在濕潤條件滿足，遮蔭條件較好的地方，夏季亦可生長出一部分很、幼芽。栽植前的各項准備工作做好後，即可選擇最佳種植季節大力發展石斛生產。
目前，石斛栽種的方法通常採用有：
1. 貼石栽種法選擇陰濕林下的石縫、石槽有腐殖質處，將分成小叢的石斛種苗的根部，用牛糞泥漿包住，塞入岩石縫或槽內，塞時應力求穩固，以免掉落。或將小叢石斛種苗直接放入已打好的窩內，然後用打窩時的石花均勻的將基部壓實，以風吹不倒力度，將基部和根牢固地固定在石窩內即可。若是在礫石上栽培，其辦法是將種苗平放在礫石上，然後用石塊壓住種苗中下部，基部、頂部裸露在外，仍以風吹不動為度。如栽放種苗的地方有石灰塵，應用水沖或濕布擦凈，以有利於提高成活率。在石面四周種植石斛，可用鑽子打一小窩，事前應踩好鮮牛糞，鮮牛糞中可參入30：l的磷肥，加水踩混，稀濕度以手捏之手指縫中不留水為度，將石斛種苗緊緊貼住小窩，一手抓備好牛糞搭在石斛種苗莖的中下部，使種苗牢固地貼在石頭上，種苗的頂部和基部都要裸露在外。
2. 貼樹栽種法在高山闊葉林中，選擇樹桿粗大、水份較多、樹冠茂盛、樹皮疏鬆、有縱裂溝的常綠樹（如黃桶、烏柏、柿子、油桐、青杠、香樟、楠木、楓楊樹等），在較平而粗的樹干或樹枝凹處或每隔30～50厘米用刀上砍一淺裂口，並剝去一些樹皮，然後將已備好的石斛種苗，用竹釘或繩索將基部固定在樹的裂口處，再用牛糞泥漿（用牛糞與泥漿拌勻）塗抹在其根部及周圍樹皮溝中。為防止風吹動和雨水沖刷，一般應用竹釘釘牢或用竹篾等繩索捆上2圈梆牢，以固定石斛須根和植株於樹干或樹丫上，使其新根長出後沿樹體緊密攀沿生長。在樹上栽種時，應從上而下進行。已枯朽的樹皮不宜栽種。
3. 蔭棚栽種法將小礫石拌小量細砂（焦泥灰和細砂），作為寬40厘米，長120厘米，高17厘米的高畦，將石斛種苗分株後栽於畦內，密度以20×20厘米一窩，在上面蓋7～10厘米厚的細砂或小礫石，壓緊。畦上搭1.7米的蔭棚，向陽面掛一草簾，以利調節溫濕度和通透新鮮空氣，並經常保持畦面的濕潤。 危害霍山石斛的病蟲害種類不多，主要是黑斑病、炭疽病等，應以預防為主。發病初期，用50%多菌靈或50%甲基托布津800倍液噴霧2至3次。蟲害主要是蝸牛，3月至11月都會有蝸牛出現，蠶食石斛的嫩莖葉。防治方法是撒施5%顆粒梅塔（四聚乙醛），每畝一次需撒約一公斤。
霍山石斛是製作工序：分揀整理、清洗攤晾、炒制、揉搓去鞘、繞條加箍、去箍、復火。

6. 石斛的繁殖方式

石斛的繁殖方法分為有性繁殖和無性繁殖兩大類，目前生產上主要採用無性繁殖方法。
1、有性繁殖
即種子繁殖。石斛種子極小，每個蒴果約有20000粒，呈黃色粉末狀，通常不發芽，只在養分充足、濕度適宜、光照適中的條件下才能萌發生長，一般需在組培室進行培養。不過，盡管石斛繁殖系數極高，但其有性繁殖的成功率極低。
2、無性繁殖
（1）分株繁殖在春季或秋季進行，以3月底或4月初石斛發芽前為好。選擇長勢良好、無病蟲害、根系發達、萌芽多的1～2年生植株作為種株，將其連根拔起，除去枯枝和斷技，剪掉過長的須根，老根保留3cm左右，按莖數的多少分成若干叢，每叢須有莖4～5枝，即可作為種莖。
（2）扦插繁殖在春季或夏季進行，以5～6月為好。選取三年生生長健壯的植株，取其飽滿圓潤的莖段，每段保留4～5個節，長15～25cm，插於蛭石或河沙中，深度以莖不倒為度，待其莖上腋芽萌發，長出白色氣生根，即可移栽。一般在選材時，多以上部莖段為主，因其具頂端優勢，成活率高，萌芽數多，生長發育快。
（3）高芽繁殖多在春季或夏季進行，以夏季為主。三年生以上的石斛植株，每年莖上都要萌發腋芽，也叫高芽，並長出氣生根，成為小苗，當其長到5～7cm時，即可將其割下進行移栽。
（4）離體組織培養繁殖金釵石斛可採用下述方法組培快繁試管苗。將金釵石斛的嫩莖經常規消毒後，切成0。5～1cm段作外植體，採用MS或B5作為基本培養基，並分別附加植物激素如NAA（0。05～1、5mg/L）、IAA（0。2～1、0mg/L）、6-BA（1、0～5、0mg/L）等不同激素組合的多種培養基，培養基pH5、6～6、0，在25～28℃，每天光照9～10h，光照強度1800～1900lx條件下進行組織培養。19d後，莖葉處出現小芽點，約1個月後，小芽伸長，尖端分叉，2個月後，小芽長成高約2、0～2、7cm，具4～8個葉片的試管苗。並發現，在培養基不同配方組合中，MS比B5基本培養基對生長速度具有明顯優勢。

7. 石斛有哪些繁殖方法

1.組織培養（1）外植體切取：選長3～6厘米的新芽，從母體切下，用自來水沖洗30分鍾，剝去最外面一層葉鞘，在75%酒精中浸2～3秒鍾，立即放到15%次氯酸鈉溶液浸泡15分鍾，不時用手輕搖，取出剝去多餘的東西，再放到5%次氯酸鈉溶液浸5～10分鍾，取出後用無菌水沖洗3次，在無菌條件下剝取頂芽或側芽作外植體。每個培養瓶放一個外植體，在振盪培養機上液體振盪培養，溫度26℃，光照2千勒克斯，每天照明時間16～24小時，液體培養基每2周更換1次，外植體產生原球莖繁殖很快，到達一定數量後轉移到固體培養基上培養。（2）培養基：外植體增殖培養用VW培養基加15%椰乳。原球莖分化芽和根的培養基為VW+椰乳+香蕉漿+馬鈴薯提取液，椰乳用量15%～50%均可以。石斛類莖尖培養亦可用KC培養基加萘乙酸1毫克/升或KC液體培養基，腋芽以KC固體培養基生長好，亦可用MS培養基加萘乙酸（NAA）1毫克/升，激動素0.1毫克/升。2.蘭花的無菌播種繁殖法（1）蘭花的果實和種子：蘭花果實為蒴果，形狀各異，卡特蘭卵圓形，石斛為梨形，蝴蝶蘭為長形，鳳蘭為圓形。蘭花種子非常細小，一個蒴果中紅門蘭約有種子6200粒，卡特蘭50萬～75萬粒，呈粉狀，在顯微鏡下才能看見，有黃色、白色、乳白色和棕褐色。種子胚具有未分化的特點，自然條件下很難發芽，在開花後3～4天進行人工授粉，種子隨采隨播。（2）播種：將未開裂的蒴果，放在10%～15%次氯酸鈉溶液浸泡10～15分鍾，取出種子，將種子放在10%次氯酸鈉水溶液浸泡5～10分鍾，再用無菌水洗凈。培養基一般用MS培養基或K.C培養基。在培養基中加入10%～20%椰乳或香蕉汁150～200克/升。播種在超凈工作台上進行，用鑷子將種子移入培養基上，為使種子在培養基表面分布均勻，可加數滴無菌水。（3）管理：接種後放在20～25℃溫度，40瓦日光燈下（高15～20厘米），每日10～12小時。洋蘭接種後1～2周明顯長大，4～6周變綠，2～3個月第一枚葉片長出，2～3片葉時長出第一條根，9～10月後可移到小盆中。3.扦插：石斛屬於附生性蘭科植物。繁殖時，一定要根據石斛的原生長地的環境條件，准備好適宜的栽培容器和栽培基質。石斛扦插，要挑選生長健壯的植株，取莖干內營養豐富的分生枝條，每段長約8～12厘米，每根插穗要有4～6個節間。切取時，要修去過長或破壞的氣生根。栽培容器可用棕皮包裹水苔蘚、蕨根珍珠岩等基質。在包紮容器的同時，把插穗基部的4～6厘米包裹在棕皮和基質中，把水澆透，綁在其他材料上。然後再用水苔蘚、蕨根和棕皮之類作填充物，塞入縫隙，使插穗緊貼在附著物上。石斛扦插也可用土陶花盆，基質可用泥炭土2份、松樹皮2份、黃色山泥2份、珍珠岩2份、水苔蘚2份。這些材料，都必須經過長期堆放，發酵腐熟，充分混合，曝曬整細過篩，配製成專門的扦插培養土。扦插時，每盆4～6株，澆透水後再按上述方法，把容器捆綁在其他物體上或者懸掛在栽培室中。石斛扦插後的管理，主要是控制好溫度和濕度。一般來說，培養室的溫度白天為18～24℃，夜間為13～15℃。每3～5天澆水一次，保持基質的絕對濕潤。空氣相對濕度在70%～80%，如果達不到，每天可數次進行霧狀噴水，改變環境的濕潤狀況。當石斛新根長出後，頂端便開始萌發新芽。這時，便可解除捆綁物，用特製的培養土進行盆栽。

8. 金釵石斛能用松針土和松樹皮種植嗎

不宜用腐葉土、山基土等做基質，可以用松樹皮，松球，蕨類跟，刨花等種植，加牛羊糞時一定要發酵

9. 金釵石斛這么種

編輯本段【繁殖方法】
常用分株、扦插和組培繁殖。
①分株繁殖
春季結合換盆進行。將生長密集的母株，從盆內托出，少傷根葉，把蘭苗輕輕掰開，選用3～4株栽15厘米盆，有利於成型和開花。
②扦插繁殖
選擇未開花而生長充實的假鱗莖、從根際剪下，再切成每2～3節一段，直接插入泥炭苔蘚中或用水苔包紮插條基部，保持濕潤，室溫在18～22℃，插後30～40天可生根。待根長3～5厘米盆栽。
③組培繁殖
常以莖尖、葉尖為外植體，在附加2，4－D0．15～0．5毫克／升、6－苄氨基腺嘌呤0．5毫克／升的MS培養基上，其分化率可達1：10左右。分化的幼芽轉至含有活性炭。椰乳的MS培養基中（附加2，4－－D和6－苄氨基腺嘌呤各0．1毫克／升），即能正常生長，形成無根幼苗，將幼苗轉入含有吲哚丁酸0．2～0 ．4毫克／升的MS培養基中，能夠誘導生根，形成具有根、莖、葉的完整小植株。
編輯本段【栽培管理】
盆栽石斛需用泥炭苔蘚、蕨根、樹皮塊和木炭等輕型、排水好、透氣的基質。同時，盆底多墊瓦片或碎磚屑，以利於根系發育。栽培場所必須光照充足，對石斛生長、開花更加有利。春、夏季生長期，應充分澆水，使假球莖生長加快。9月以後逐漸減少澆水，使假球莖逐趨成熟，能促進開花。生長期每旬施肥1次，秋季施肥減少，到假球莖成熟期和冬季休眠期，則完全停止施肥。栽培2～3年以上的石斛，植株擁擠，根系滿盆，盆栽材料已腐爛，應及時更換。無論常綠類或是落葉類石斛，均在花後換盆。換盆時要少傷根部，否則遇低溫葉片會黃化脫落。
編輯本段【病蟲害防治】
常有黑斑病、病毒病危害，可用10％抗菌劑401醋酸溶液1000倍液噴灑。蟲害有介殼蟲危害，用40％氧化樂果乳油2000倍液噴殺。
編輯本段【產後處理】
石斛花姿優美，色彩新艷，盆栽擺放陽台、窗檯或吊盆懸掛客室、書房，凌空潑灑，別具一格。在歐美常用石斛花朵製作胸花，配上絲石竹和天冬草，真有歡迎光臨之意。至今，廣泛用於大型宴會，開幕式剪綵典禮，享受貴賓待遇。在許多國家把石斛作為每年6月19日的父親節之花。

10. 鼓槌石斛的繁殖方式

鼓槌石斛（學名：Dendrobium chrysotoxum Lindl.）：莖直立，肉質，紡錘形，具2-5節間，具多數圓鈍的條棱，近頂端具2-5枚葉，葉革質，長圓形。總狀花序近莖頂端發出，斜出或稍下垂，長達20厘米；花質地厚，金黃色，稍帶香氣；花瓣倒卵形，等長於中萼片，寬約為萼片的2倍，先端近圓形，具約10條脈；唇瓣的顏色比萼片和花瓣深，近腎狀圓形，花期3-5月。
鼓槌石斛的繁殖方式如下：
1、選地
根據其生長習性，石斛類栽培地宜選半陰半陽的環境，空氣濕度在80%以上，冬季氣溫在0℃以上地區。人工可控環境也可，樹種應以黃桷樹、梨樹、樟樹等且應樹皮厚有縱溝、含水多、枝葉茂、樹干粗大的活樹，石塊地也應在陰涼、濕潤地區，石塊上應有苔蘚生長及表面有少量腐殖質。

2、分株
選擇生長較密的值株，開過花後，將其從盆中取出，除去老根，從生莖的基部切開，分切時盡最少傷根系，只掩剪開相互連接的很狀呈部位，根部用手拉開，不必用刀切。以主株為一組，再將老根進一步剪除，將新芽靠近盆中央，填入新的基質並壓實，即成新的植株。

3、分芽
盆裁3年以上的植株或部分秋石斛莖的頂部或基部長有小植株時，可以進行切芽繁殖。選擇具有3-4片葉，2-3條根，根長4-5厘米的小植株，從母株上切下，用草木灰或70%的代森錳鋅處理傷口，將苗植入盆中即可。汪意要淺植，栽培2年後一般可開花成為商品花。

4、扦插
扦插繁殖可以結合花後換盆和分株時一起進行。石觸蘭多具有細長、帶肉質的莖，莖上有許多節，節上能長芽，所以能用扦播繁殖。選擇未開花且較充實的整做播條，將技條切成數段，每段具2-3個節，在傷口上塗上草木灰或70%的代森錳鋅處理傷口，將莖一段一段地插入苔蘚和泥炭混合的基質中，一半露在外面，放於半陰、潮濕處。插後1周不必澆水，然後經常噴霧保濕，適當遮陰。經過1-2個月，在節部有新芽長出，新芽下部長出2-3條小根形成新的植株，將新植株連向老莖一起上盆，栽培2-3年可開花。扦插時間以4-8月為好。
——來自於寧洱宗理石斛經營部