石斛盆栽的種植方法
貼石種植可在選好的石塊上按30厘米的株距鑿出凹穴,用牛糞拌稀泥除一薄層於種蔸處塞人石穴或石槽,力求穩固不使脫落即可,可塞小石塊固定。貼樹可在選好的樹上按30~40厘米在樹上砍去一部分樹皮將種蔸塗一薄層牛糞與泥漿混合物,然後塞入破皮處或樹縱裂溝處貼緊樹皮,再覆一層稻草,用竹蔑捆好。
拓展資料
石斛盆栽介質和一般花卉不同,因為需石斛不能用土種,最好是用水苔、碎石、花生殼、苔蘚、椰子皮、松樹皮、木屑、木炭、木塊等有良好的保水性又有通風透氣性的介質。
『貳』 石斛的栽培有哪些注意事項
石斛,蘭科,多年生附生草本植物。假鱗莖呈棍棒狀,叢生,基部稍細,向上漸增粗,中部以上略呈「之」字形曲折,具槽紋,稍扁,長10~60厘米,粗達1.3厘米,節部略粗。葉近革質,矩圓形,長8~11厘米,寬1~3厘米,頂端2圓裂,花期有葉或無葉。總狀花序有花1~4朵,總花梗長1厘米左右;花較大,直徑可達8厘米,半垂,白色或微帶紫色,花被頂端帶淡紫紅色;萼片矩圓形,頂端略鈍;花瓣橢圓形,與萼等大;唇瓣寬卵狀矩圓形,寬可達2.8厘米,具短爪,唇盤上有一紫色斑塊。
產於我國台灣、廣東、廣西、湖北、四川、雲南、貴州等地,亞洲其他熱帶地區也有。附生於海拔480~1700米林中的樹乾和岩石上。喜溫暖、潮濕和較充足的陽光。
石斛在我國作為葯用的歷史十分久遠。作為觀賞植物盆栽主要是西方做了許多工作。以石斛為親本通過雜交培育出了很多美麗、優良的品種。
石斛是蘭科植物中最大的屬之一,同屬植物有1500~1600個原生種。主要分布於亞洲熱帶和太平洋島嶼的東西、東南亞及澳大利亞等地區。大約有60種石斛屬植物產於我國。北自秦嶺、淮河以南直至海南島南部都有,但大多數種類集中於北緯15°30′~25°21′之間,分布在雲南、貴州、廣東、廣西、海南、台灣等省。常見的石斛按其生物學特性,大體分成兩大類:
落葉類石斛:每年生長季節開始時從假鱗莖的基部長出新芽,當年生長成新的假鱗莖。當旱季到來時,假鱗莖上的葉片脫落,或保留到次年春季。這一類包括了我國西南和華南原產的大多數種類,如報春石斛、兜石斛、紫瓣石斛、齒瓣石斛、金釵石斛、短唇石斛、束花石斛等。它們通常在前一年生長的假鱗莖上部抽出花序,每束花2~3朵。
常綠類石斛:無明顯的休眠期,葉片可維持數年不落。花序常從假鱗莖的頂部或附近的節上抽出,有時一個假鱗莖連續數年開花。這一類石斛有:密花石斛、球花石斛、鼓槌石斛、蝴蝶石斛及其雜交種。這些種類與落葉種類的要求基本相同,但喜歡更高的溫度和濕度。作為切花用的蝴蝶石斛及其雜交種(常稱秋石斛),沒有明顯的休眠期,冬季仍能繼續生長、開花。
通常用扦插法繁殖。可選未開花而長得充實的假鱗莖,從根際剪下作插條用。每2~3節切成一段,直立扦插在用泥炭和苔蘚做成的小插床上,一半露在外面。保持半陰、潮濕和較高的溫度,1~2月後,待新芽生出2~3條小根時,連帶老莖一起栽種在盆中,成為新植株。
用分株法繁殖石斛也十分方便。把生長滿盆的植株磕出,去掉盆栽基質,將植株從假鱗莖的基部相連處切斷,使每叢至少有3~4個假鱗莖,而其中必須有1個是沒有開過花的。而後,重新用蕨根、苔蘚等栽種成為新株。
大批量繁殖優良品種,主要通過組織培養的方法。繁殖原種或進行雜交育種,通過人工授粉,得到種子後可進行無菌播種繁殖。石斛的試管苗生長比較快,若栽培適當約一年半可以開花。
盆栽石斛不用傳統的培養土,常用栽培附生植物的基質,如苔蘚、蕨根、木炭、樹皮塊等。根部要通氣特別好,又要能適當保濕。
石斛喜較強的陽光,華北地區溫室栽培夏季遮光50%左右,冬季不遮光。冬季休眠期間,白天的溫度要在18℃左右,夜間13℃左右,最低不可低於8℃。石斛喜潮濕,但根部忌積水。要保持高的空氣濕度,經常向植株周圍灑水。整個生長期都要有充足的水分,但澆水後不要讓水留在新芽上,以免其腐爛。整個休眠的冬季,只要保持盆栽基質不幹即可,但空氣濕度仍需較高。生長期內每周施一次液體追肥,休眠期停肥。
圖6-32 石斛
『叄』 鼓槌石斛的繁殖方式
鼓槌石斛(學名:Dendrobium chrysotoxum Lindl.):莖直立,肉質,紡錘形,具2-5節間,具多數圓鈍的條棱,近頂端具2-5枚葉,葉革質,長圓形。總狀花序近莖頂端發出,斜出或稍下垂,長達20厘米;花質地厚,金黃色,稍帶香氣;花瓣倒卵形,等長於中萼片,寬約為萼片的2倍,先端近圓形,具約10條脈;唇瓣的顏色比萼片和花瓣深,近腎狀圓形,花期3-5月。
鼓槌石斛的繁殖方式如下:
1、選地
根據其生長習性,石斛類栽培地宜選半陰半陽的環境,空氣濕度在80%以上,冬季氣溫在0℃以上地區。人工可控環境也可,樹種應以黃桷樹、梨樹、樟樹等且應樹皮厚有縱溝、含水多、枝葉茂、樹干粗大的活樹,石塊地也應在陰涼、濕潤地區,石塊上應有苔蘚生長及表面有少量腐殖質。
2、分株
選擇生長較密的值株,開過花後,將其從盆中取出,除去老根,從生莖的基部切開,分切時盡最少傷根系,只掩剪開相互連接的很狀呈部位,根部用手拉開,不必用刀切。以主株為一組,再將老根進一步剪除,將新芽靠近盆中央,填入新的基質並壓實,即成新的植株。
3、分芽
盆裁3年以上的植株或部分秋石斛莖的頂部或基部長有小植株時,可以進行切芽繁殖。選擇具有3-4片葉,2-3條根,根長4-5厘米的小植株,從母株上切下,用草木灰或70%的代森錳鋅處理傷口,將苗植入盆中即可。汪意要淺植,栽培2年後一般可開花成為商品花。
4、扦插
扦插繁殖可以結合花後換盆和分株時一起進行。石觸蘭多具有細長、帶肉質的莖,莖上有許多節,節上能長芽,所以能用扦播繁殖。選擇未開花且較充實的整做播條,將技條切成數段,每段具2-3個節,在傷口上塗上草木灰或70%的代森錳鋅處理傷口,將莖一段一段地插入苔蘚和泥炭混合的基質中,一半露在外面,放於半陰、潮濕處。插後1周不必澆水,然後經常噴霧保濕,適當遮陰。經過1-2個月,在節部有新芽長出,新芽下部長出2-3條小根形成新的植株,將新植株連向老莖一起上盆,栽培2-3年可開花。扦插時間以4-8月為好。
——來自於寧洱宗理石斛經營部
『肆』 板植金釵石斛怎麼養
編輯本段【繁殖方法】 常用分株、扦插和組培繁殖。 ①分株繁殖 春季結合換盆進行。將生長密集的母株,從盆內托出,少傷根葉,把蘭苗輕輕掰開,選用3~4株栽15厘米盆,有利於成型和開花。 ②扦插繁殖 選擇未開花而生長充實的假鱗莖、從根際剪下,再切成每2~3節一段,直接插入泥炭苔蘚中或用水苔包紮插條基部,保持濕潤,室溫在18~22℃,插後30~40天可生根。待根長3~5厘米盆栽。 ③組培繁殖 常以莖尖、葉尖為外植體,在附加2,4-D0.15~0.5毫克/升、6-苄氨基腺嘌呤0.5毫克/升的MS培養基上,其分化率可達1:10左右。分化的幼芽轉至含有活性炭。椰乳的MS培養基中(附加2,4--D和6-苄氨基腺嘌呤各0.1毫克/升),即能正常生長,形成無根幼苗,將幼苗轉入含有吲哚丁酸0.2~0 .4毫克/升的MS培養基中,能夠誘導生根,形成具有根、莖、葉的完整小植株。 編輯本段【栽培管理】 盆栽石斛需用泥炭苔蘚、蕨根、樹皮塊和木炭等輕型、排水好、透氣的基質。同時,盆底多墊瓦片或碎磚屑,以利於根系發育。栽培場所必須光照充足,對石斛生長、開花更加有利。春、夏季生長期,應充分澆水,使假球莖生長加快。9月以後逐漸減少澆水,使假球莖逐趨成熟,能促進開花。生長期每旬施肥1次,秋季施肥減少,到假球莖成熟期和冬季休眠期,則完全停止施肥。栽培2~3年以上的石斛,植株擁擠,根系滿盆,盆栽材料已腐爛,應及時更換。無論常綠類或是落葉類石斛,均在花後換盆。換盆時要少傷根部,否則遇低溫葉片會黃化脫落。 編輯本段【病蟲害防治】 常有黑斑病、病毒病危害,可用10%抗菌劑401醋酸溶液1000倍液噴灑。蟲害有介殼蟲危害,用40%氧化樂果乳油2000倍液噴殺。 編輯本段【產後處理】 石斛花姿優美,色彩新艷,盆栽擺放陽台、窗檯或吊盆懸掛客室、書房,凌空潑灑,別具一格。在歐美常用石斛花朵製作胸花,配上絲石竹和天冬草,真有歡迎光臨之意。至今,廣泛用於大型宴會,開幕式剪綵典禮,享受貴賓待遇。在許多國家把石斛作為每年6月19日的父親節之花。
『伍』 石斛有哪些繁殖方法
1.組織培養(1)外植體切取:選長3~6厘米的新芽,從母體切下,用自來水沖洗30分鍾,剝去最外面一層葉鞘,在75%酒精中浸2~3秒鍾,立即放到15%次氯酸鈉溶液浸泡15分鍾,不時用手輕搖,取出剝去多餘的東西,再放到5%次氯酸鈉溶液浸5~10分鍾,取出後用無菌水沖洗3次,在無菌條件下剝取頂芽或側芽作外植體。每個培養瓶放一個外植體,在振盪培養機上液體振盪培養,溫度26℃,光照2千勒克斯,每天照明時間16~24小時,液體培養基每2周更換1次,外植體產生原球莖繁殖很快,到達一定數量後轉移到固體培養基上培養。(2)培養基:外植體增殖培養用VW培養基加15%椰乳。原球莖分化芽和根的培養基為VW+椰乳+香蕉漿+馬鈴薯提取液,椰乳用量15%~50%均可以。石斛類莖尖培養亦可用KC培養基加萘乙酸1毫克/升或KC液體培養基,腋芽以KC固體培養基生長好,亦可用MS培養基加萘乙酸(NAA)1毫克/升,激動素0.1毫克/升。2.蘭花的無菌播種繁殖法(1)蘭花的果實和種子:蘭花果實為蒴果,形狀各異,卡特蘭卵圓形,石斛為梨形,蝴蝶蘭為長形,鳳蘭為圓形。蘭花種子非常細小,一個蒴果中紅門蘭約有種子6200粒,卡特蘭50萬~75萬粒,呈粉狀,在顯微鏡下才能看見,有黃色、白色、乳白色和棕褐色。種子胚具有未分化的特點,自然條件下很難發芽,在開花後3~4天進行人工授粉,種子隨采隨播。(2)播種:將未開裂的蒴果,放在10%~15%次氯酸鈉溶液浸泡10~15分鍾,取出種子,將種子放在10%次氯酸鈉水溶液浸泡5~10分鍾,再用無菌水洗凈。培養基一般用MS培養基或K.C培養基。在培養基中加入10%~20%椰乳或香蕉汁150~200克/升。播種在超凈工作台上進行,用鑷子將種子移入培養基上,為使種子在培養基表面分布均勻,可加數滴無菌水。(3)管理:接種後放在20~25℃溫度,40瓦日光燈下(高15~20厘米),每日10~12小時。洋蘭接種後1~2周明顯長大,4~6周變綠,2~3個月第一枚葉片長出,2~3片葉時長出第一條根,9~10月後可移到小盆中。3.扦插:石斛屬於附生性蘭科植物。繁殖時,一定要根據石斛的原生長地的環境條件,准備好適宜的栽培容器和栽培基質。石斛扦插,要挑選生長健壯的植株,取莖干內營養豐富的分生枝條,每段長約8~12厘米,每根插穗要有4~6個節間。切取時,要修去過長或破壞的氣生根。栽培容器可用棕皮包裹水苔蘚、蕨根珍珠岩等基質。在包紮容器的同時,把插穗基部的4~6厘米包裹在棕皮和基質中,把水澆透,綁在其他材料上。然後再用水苔蘚、蕨根和棕皮之類作填充物,塞入縫隙,使插穗緊貼在附著物上。石斛扦插也可用土陶花盆,基質可用泥炭土2份、松樹皮2份、黃色山泥2份、珍珠岩2份、水苔蘚2份。這些材料,都必須經過長期堆放,發酵腐熟,充分混合,曝曬整細過篩,配製成專門的扦插培養土。扦插時,每盆4~6株,澆透水後再按上述方法,把容器捆綁在其他物體上或者懸掛在栽培室中。石斛扦插後的管理,主要是控制好溫度和濕度。一般來說,培養室的溫度白天為18~24℃,夜間為13~15℃。每3~5天澆水一次,保持基質的絕對濕潤。空氣相對濕度在70%~80%,如果達不到,每天可數次進行霧狀噴水,改變環境的濕潤狀況。當石斛新根長出後,頂端便開始萌發新芽。這時,便可解除捆綁物,用特製的培養土進行盆栽。
『陸』 金釵石斛枝上長根的小芽可以剪下種植嗎
可以種植的。種苗用金釵石斛莖中上部的莖節上先長根後長芽而形成新的小植株。
切忌有病蟲危害和採收時間長而發生干爛霉變的種苗作為擴大生產用種,否則將會給生產帶來極大的損失。
金釵石斛株叢生長良好與否,與其根的長短及多少緊密相關,根系長、健康、旺盛的,其莖粗、長,葉深綠、油亮,反之假鱗莖細,葉子泛黃,植株長勢差或葉片脫落。
金釵石斛的成活根在一年中有兩次明顯的生長旺盛期,第1次在2~4月,第2次在9~10月。根生長旺盛時,生長部位相當明顯,為嫩綠色,吸附樹上,甚至一些根在表面分生叉根。
金釵石斛的生長環境及分布范圍
金釵石斛對自然生長環境要求十分苛刻,對大氣、土壤、水質要求高,怕嚴寒、喜高溫高濕,對溫暖、濕潤氣候要求十分嚴格,年平均氣溫高於18℃,冬季氣溫高於3℃,無霜期大於350天以上等等。
溫度與光照管理
金釵石斛的適宜生長溫度為15~28℃,因而為營建適於其生長的溫度環境,在夏季溫度高時,設施大棚內須加強通風散熱,通過遮陰棚、噴霧降溫、通風降溫等方式調控棚內溫度在一個適宜的范圍內;在冬季氣溫低時,應將設施大棚密封好,必要時可通過各種加熱方式使得設施內溫度上升以防凍傷植株。
金釵石斛喜陰,應採用遮陰措施以降低光照。生長期的金釵石斛遮陰度以60%左右為宜。幼苗剛定植完成時,大棚須蓋有70%遮陰度以上的遮陰網,以防強光曝曬導致幼苗萎蔫,影響成活率。
高溫、高強光的夏、秋季,大棚的遮陰網須蓋好、蓋牢,因為高強光很容易讓植株提早封頂,長不高,影響產量。
冬季應適當揭開陰棚以利透光,延長生長期。貼樹栽培(附主栽培)的,應在每年冬、春季節適當剪去附主植物過密的枝條。
水分與濕度管理
水分管理是金釵石斛栽培過程中的關鍵環節之一。剛移栽的石斛苗對水分最敏感,此時一般應控制基質的含水量在60%~70%為宜,具體操作時以手抓基質有濕感但不滴水為宜。移栽後7天內(幼苗尚未發新根)空氣濕度保持在90%左右,7天後,植株開始發生新根,空氣濕度保持在70%~80%。
『柒』 金釵石斛怎麼種 金釵石斛的種植方法和注意事項
栽培材料:陶瓷花盆、無毒實木鋸木粉、赤水丹霞石、帶氯消毒葯、野生苔薛、菜籽油、棉線繩、發酵腐熟牛羊糞。
1.1.2種苗:野外培植一到二年左右、造形美觀的無病害石斛苗.
1.2方法
1.2.1石材的選擇:選擇堅硬度較小、汲水性強、處形美觀大方、大小與陶瓷花盆相適應、上方橫截面約小於下方的卵形赤水丹霞石.
1.2.2消毒:用5%左右的帶氯消毒葯水浸泡己選好的石材、陶瓷花盆、棉線繩等30min,撈出放於自然陽光下照射2~3天。
1.2.3培植肥石:用菜籽油反復塗抹己消毒曬乾的石材三次以上,放於戶外的樹陰下,晴天每天灑水二到三次,待二到三個月菜籽油徹底腐熟後,用於定植。
1.2.4定植:定植季節最好選擇休眠期末,定植時先把發酵腐熟牛羊糞漿用毛刷均勻刷在己經培肥的造形石上,再把野外培植成形美觀的無病害石斛苗用棉線繩固定在定植石上,特別提醒一定要按上小下大方向放置石塊,更不能損傷根系,最後把野生苔鮮覆蓋好石斛根。
1.2.5裝盆:盆底墊己培肥的丹霞碎石和少量鋸木粉,深度至讓定植石塊能高出花盆1/3為誼,定植石四周用鋸木粉自然填充。
1.2.6管理。控水控濕:剛栽種的盆栽石斛要蔗陰,濕度大,但不能淹水;春、夏季生長期每天早晚用噴霧器噴灑一次水,農歷9月以後逐漸減少澆水。控溫控光:生長適溫18-30'C,生長期以上6-21℃更為合適,休眠期16-18℃,晚間溫度為10^-13℃溫差保持在10-15℃最佳。白天溫度超過30℃對石斛生長影響不大,冬季溫度不低於10'C。幼苗在10℃以下容易受凍:夏秋以遮光50%,冬春以遮光30%為宜。施肥:生長期每旬施肥1次,秋季施肥減少,到假球莖成熟期和冬季休眠期,則完全停止施肥。
『捌』 石斛的繁殖方式
石斛的繁殖方法分為有性繁殖和無性繁殖兩大類,目前生產上主要採用無性繁殖方法。
1、有性繁殖
即種子繁殖。石斛種子極小,每個蒴果約有20000粒,呈黃色粉末狀,通常不發芽,只在養分充足、濕度適宜、光照適中的條件下才能萌發生長,一般需在組培室進行培養。不過,盡管石斛繁殖系數極高,但其有性繁殖的成功率極低。
2、無性繁殖
(1)分株繁殖在春季或秋季進行,以3月底或4月初石斛發芽前為好。選擇長勢良好、無病蟲害、根系發達、萌芽多的1~2年生植株作為種株,將其連根拔起,除去枯枝和斷技,剪掉過長的須根,老根保留3cm左右,按莖數的多少分成若干叢,每叢須有莖4~5枝,即可作為種莖。
(2)扦插繁殖在春季或夏季進行,以5~6月為好。選取三年生生長健壯的植株,取其飽滿圓潤的莖段,每段保留4~5個節,長15~25cm,插於蛭石或河沙中,深度以莖不倒為度,待其莖上腋芽萌發,長出白色氣生根,即可移栽。一般在選材時,多以上部莖段為主,因其具頂端優勢,成活率高,萌芽數多,生長發育快。
(3)高芽繁殖多在春季或夏季進行,以夏季為主。三年生以上的石斛植株,每年莖上都要萌發腋芽,也叫高芽,並長出氣生根,成為小苗,當其長到5~7cm時,即可將其割下進行移栽。
(4)離體組織培養繁殖金釵石斛可採用下述方法組培快繁試管苗。將金釵石斛的嫩莖經常規消毒後,切成0。5~1cm段作外植體,採用MS或B5作為基本培養基,並分別附加植物激素如NAA(0。05~1、5mg/L)、IAA(0。2~1、0mg/L)、6-BA(1、0~5、0mg/L)等不同激素組合的多種培養基,培養基pH5、6~6、0,在25~28℃,每天光照9~10h,光照強度1800~1900lx條件下進行組織培養。19d後,莖葉處出現小芽點,約1個月後,小芽伸長,尖端分叉,2個月後,小芽長成高約2、0~2、7cm,具4~8個葉片的試管苗。並發現,在培養基不同配方組合中,MS比B5基本培養基對生長速度具有明顯優勢。
『玖』 金釵石斛這么種
編輯本段【繁殖方法】
常用分株、扦插和組培繁殖。
①分株繁殖
春季結合換盆進行。將生長密集的母株,從盆內托出,少傷根葉,把蘭苗輕輕掰開,選用3~4株栽15厘米盆,有利於成型和開花。
②扦插繁殖
選擇未開花而生長充實的假鱗莖、從根際剪下,再切成每2~3節一段,直接插入泥炭苔蘚中或用水苔包紮插條基部,保持濕潤,室溫在18~22℃,插後30~40天可生根。待根長3~5厘米盆栽。
③組培繁殖
常以莖尖、葉尖為外植體,在附加2,4-D0.15~0.5毫克/升、6-苄氨基腺嘌呤0.5毫克/升的MS培養基上,其分化率可達1:10左右。分化的幼芽轉至含有活性炭。椰乳的MS培養基中(附加2,4--D和6-苄氨基腺嘌呤各0.1毫克/升),即能正常生長,形成無根幼苗,將幼苗轉入含有吲哚丁酸0.2~0 .4毫克/升的MS培養基中,能夠誘導生根,形成具有根、莖、葉的完整小植株。
編輯本段【栽培管理】
盆栽石斛需用泥炭苔蘚、蕨根、樹皮塊和木炭等輕型、排水好、透氣的基質。同時,盆底多墊瓦片或碎磚屑,以利於根系發育。栽培場所必須光照充足,對石斛生長、開花更加有利。春、夏季生長期,應充分澆水,使假球莖生長加快。9月以後逐漸減少澆水,使假球莖逐趨成熟,能促進開花。生長期每旬施肥1次,秋季施肥減少,到假球莖成熟期和冬季休眠期,則完全停止施肥。栽培2~3年以上的石斛,植株擁擠,根系滿盆,盆栽材料已腐爛,應及時更換。無論常綠類或是落葉類石斛,均在花後換盆。換盆時要少傷根部,否則遇低溫葉片會黃化脫落。
編輯本段【病蟲害防治】
常有黑斑病、病毒病危害,可用10%抗菌劑401醋酸溶液1000倍液噴灑。蟲害有介殼蟲危害,用40%氧化樂果乳油2000倍液噴殺。
編輯本段【產後處理】
石斛花姿優美,色彩新艷,盆栽擺放陽台、窗檯或吊盆懸掛客室、書房,凌空潑灑,別具一格。在歐美常用石斛花朵製作胸花,配上絲石竹和天冬草,真有歡迎光臨之意。至今,廣泛用於大型宴會,開幕式剪綵典禮,享受貴賓待遇。在許多國家把石斛作為每年6月19日的父親節之花。
『拾』 石斛怎樣。繁殖
石斛人工繁殖有扦插和分株兩種