石斛培養基方法

A. 石斛蘭怎麼進行組織培養繁殖

主要用莖尖培養選取健壯充實的新芽，在無菌條件下剝取頂芽為外植體，進行液體振盪培養，當外植體產生的原球莖有一定數量後即可轉移到固體培養基上培養

B. 石斛怎麼種植

一、選地整地

根據其生長習性，石斛栽培地宜選半陰半陽的環境，空氣濕度在80%以上，冬季氣溫在0℃以上地區。人工可控環境也可，樹種應以黃桷樹、梨樹、樟樹等且應樹皮厚有縱溝、含水多、枝葉茂、樹干粗大的活樹，石塊地也應在陰涼、濕潤地區，石塊上應有苔蘚生長及表面有少量腐殖質。

二、繁殖方法

石斛的繁殖方法分為有性繁殖和無性繁殖兩大類，目前生產上主要採用無性繁殖方法。

1、有性繁殖即種子繁殖。石斛種子極小，每個蒴果約有20000粒，呈黃色粉末狀，通常不發芽，只在養分充足、濕度適宜、光照適中的條件下才能萌發生長，一般需在組培室進行培養。不過，盡管石斛繁殖系數極高，但其有性繁殖的成功率極低。

2、無性繁殖

（1）分株繁殖：在春季或秋季進行，以3月底或4月初石斛發芽前為好。選擇長勢良好、無病蟲害、根系發達、萌芽多的1～2年生植株作為種株，將其連根拔起，除去枯枝和斷技，剪掉過長的須根，老根保留3厘米左右，按莖數的多少分成若干叢，每叢須有莖4～5枝，即可作為種莖。

（2）扦插繁殖：在春季或夏季進行，以5～6月為好。選取三年生生長健壯的植株，取其飽滿圓潤的莖段，每段保留4～5個節，長約15～25厘米，插於蛭石或河砂中，深度以莖不倒為度，待其莖上腋芽萌發，長出白色氣生根，即可移栽。一般在選材時，多以上部莖段為主，因其具頂端優勢，成活率高，萌芽數多，生長發育快。

（3）高芽繁殖：多在春季或夏季進行，以夏季為主。三年生以上的石斛植株，每年莖上都要萌發腋芽，也叫高芽，並長出氣生根，成為小苗，當其長到5～7厘米時，即可將其割下進行移栽。

三、田間管理

1、澆水：石斛栽植後期空氣濕度過小要經常澆水保濕，可用噴霧器以噴霧的形式澆水。

2、追肥：石斛生長地貧瘠應注意追肥，第一次在清明前後，以氮肥混合豬牛糞及河泥為主。第二次在立冬前後用花生鼓、菜籽餅、過磷酸鈣等加入河泥調勻糊在根部，此外尚可根外追肥。

3、調整郁閉度：石斛生長地的都閉度在60%左右，因此要經常對附生樹進行整枝修剪，以免過於蔭蔽或郁閉度不夠。

4、整枝：每年春天前發新整時，結合採收老莖將叢內的枯莖剪除，並除去病莖、弱莖以及病者根，栽種6~8年後視叢蔸生長情況翻蔸重新分枝繁殖。

四、病蟲害防治

1、石斛黑斑病：為害葉片使葉片枯萎，3~5月發生。防治方法：可用50%的多菌靈1000倍液噴霧1~2次。

2、石斛炭疽病：為害葉片及莖枝，受害葉片出現褐色或黑色病斑， 1~5月均有發生。防治方法：用50%多菌靈1000倍液或50%甲基托布津1000倍液噴霧2~3次。

3、石斛菲盾蚧：寄生於植株葉片邊緣或背面，吸食汁液，5月下旬為孵化盛期。防治方法：可用40%樂果乳劑1000倍液噴霧殺滅或集中有盾殼老枝集中燒毀。

五、採收加工

1、採收：每年春末萌芽前採收，採收時剪下三年生以上的莖枝，留下嫩莖讓其繼續生長。

2、加工：因品種和商品葯材不同，有不同加工方法，以下介紹兩種方法：

（1）將採回的莖株洗盡泥沙，去掉葉片及須根，分出單莖株，放入85℃熱水燙1~2分鍾，撈起，攤在竹席或水泥場上暴曬，曬至5成干時，用手搓去鞘膜質，再攤曬，並注意常翻動，至足干即可。

（2）也可將洗盡的石斛放入沸水中浸燙5分鍾，撈出晾乾，置竹席上暴曬，每天翻動2~3次，曬至身軟時，邊曬邊搓，反復多次至去凈殘存葉鞘，然後曬至足干即可。

C. 石斛組織培養主要流程有哪幾步

選擇生長健壯的3～6厘米長的新芽作外植體。用消了毒的利刀將新芽從母體切下，經自來水沖洗30分鍾後，剝去最外面一層葉鞘，在75%的酒精中迅速蘸一下，立即放入15%次氯酸鈉溶液中浸泡15分鍾，或放入0.1%的升汞溶液中8～10分鍾，並不時用手輕搖。取出後再剝去多餘的組織，再放入5%次氯酸鈉溶液中浸泡5～10分鍾，取出後用無菌水沖洗數次，然後在無菌條件下剝去葉苞片，以頂芽或側芽作為外植體接種於試管中。

將頂芽接種於KC加1毫克/升NAA的固體培養基或KC液體培養基中，而將側芽接種於KC固體培養基中培養，控制室溫26℃、光照2000勒克斯、每天光照16～24小時。液體培養基每兩周要更換1次。所產生的原球莖繁殖很快，達到一定數量時應及時轉入VW+（15%～50%）椰乳+（10%～20%）香蕉汁+（10%～20%）馬鈴薯提取液，或MS+（10%～20%）香蕉漿，或KC+（10%～20%）香蕉汁的分化培養基上，於室溫20～25℃、光照2000勒克斯、日照明16～24小時的條件下促進原球莖萌發成苗。對那些只長芽、不長根的個體，可將其轉入生根培養基中培養，並在生根培養基中添加少量植物生長素，如0.1毫克/升NAA等。

D. 鐵皮石斛組織培養的培養基成分有哪些

鐵皮石斛組織培養的培養基用到的主要基本培養基是MS培養基，也不只是這一種，其它的WV、winte等都可以用，但是一般多用MS培養基，也可以用1/2MS培養基，大量元素減半，其它元素不變。

除此之外，還有加一些生長素（如IAA、IBA、NAA等），細胞分裂素（如6-BA等）。但是不同的培養時期也不同的激素配合。如誘導愈傷組織時，要兩種激素的配合。增殖傳代時也要兩種激素的配合，但生長素為主；分化時以分裂素為主，壯苗和生根以生長素不主。一般用量都是0.1-10mg/L這個范圍里。

此外，還有的加了什麼香蕉素，椰乳等。

E. 石斛培養基可以用自來水嗎

不可以，石斛培養所用的為MS培養基，其特點是無機鹽和離子濃度較高，是較穩定的離子平衡溶液，它的硝酸鹽含量高，其養分的數量和比例合適，能滿足植物細胞的營養和生理需要。而自來水中含有大量的氯離子以及金屬離子，這些容易破壞本來離子比較平衡的培養基，而且這些在植物細胞培養過程中，是很敏感的刺激源，容易使得植物細胞受傷或者壞死。

F. 鐵皮石斛培養基水分問題

一般的培養基影響不大，其實可以上下波動很大的，關鍵是你自己定好一個標准，那樣可以重復，比如說可以都扣除，可以都不扣除。

G. 石斛種植方法用什麼土

1. 盆栽石斛土壤需用：泥炭苔蘚、蕨根、樹皮塊和木炭等輕型、排水好、透氣的土壤。同時盆底需多墊瓦片或碎磚屑，以利於根系發育。
   

2. 石斛，學名：石斛蘭。蘭科石斛蘭屬。石斛蘭屬是蘭科植物中最大的一個屬，原產地主要分布於亞洲熱帶和亞熱帶，澳大利亞及太平洋島嶼。中國主要分布於西南、華南、台灣等地。花色為紅、粉、黃、白、雜色等。

3. [種植方法]：主要有分株繁殖，分芽繁殖，扦插繁殖。

   (1) 分株繁殖：春季結合換盆進行。將生長密集的母株，從盆內托出，少傷根葉，把蘭苗輕輕掰開，選用3～4株栽15厘米盆，有利於成型和開花。
   

   (2)分芽繁殖：盆裁3年以上的植株或部分秋石斛莖的頂部或基部長有小植株時，可以進行切芽繁殖。選擇具有3~4片葉，2~3條根，根長4~5厘米的小植株，從母株上切下，用草木灰或70%的代森錳鋅處理傷口，將苗植入盆中即可。淺植栽培2年後可開花。

   (3)扦插繁殖：選擇未開花而生長充實的假鱗莖、從根際剪下，再切成每2～3節一段，直接插入泥炭苔蘚中或用水苔包紮插條基部，保持濕潤，室溫在18～22℃，插後30～40天可生根。待根長3～5厘米盆栽。

4. [注意事項]：種植石斛最難把握的就是澆水。水多根部易腐爛，水少滿足不了石斛生長需要，影響植株生長。因此澆水不宜多不宜少，只要保持基質濕度即可，第一次澆水要澆透，然後放在陰涼通風的環境里。

   
   

H. 石斛的繁殖方式

石斛的繁殖方法分為有性繁殖和無性繁殖兩大類，目前生產上主要採用無性繁殖方法。
1、有性繁殖
即種子繁殖。石斛種子極小，每個蒴果約有20000粒，呈黃色粉末狀，通常不發芽，只在養分充足、濕度適宜、光照適中的條件下才能萌發生長，一般需在組培室進行培養。不過，盡管石斛繁殖系數極高，但其有性繁殖的成功率極低。
2、無性繁殖
（1）分株繁殖在春季或秋季進行，以3月底或4月初石斛發芽前為好。選擇長勢良好、無病蟲害、根系發達、萌芽多的1～2年生植株作為種株，將其連根拔起，除去枯枝和斷技，剪掉過長的須根，老根保留3cm左右，按莖數的多少分成若干叢，每叢須有莖4～5枝，即可作為種莖。
（2）扦插繁殖在春季或夏季進行，以5～6月為好。選取三年生生長健壯的植株，取其飽滿圓潤的莖段，每段保留4～5個節，長15～25cm，插於蛭石或河沙中，深度以莖不倒為度，待其莖上腋芽萌發，長出白色氣生根，即可移栽。一般在選材時，多以上部莖段為主，因其具頂端優勢，成活率高，萌芽數多，生長發育快。
（3）高芽繁殖多在春季或夏季進行，以夏季為主。三年生以上的石斛植株，每年莖上都要萌發腋芽，也叫高芽，並長出氣生根，成為小苗，當其長到5～7cm時，即可將其割下進行移栽。
（4）離體組織培養繁殖金釵石斛可採用下述方法組培快繁試管苗。將金釵石斛的嫩莖經常規消毒後，切成0。5～1cm段作外植體，採用MS或B5作為基本培養基，並分別附加植物激素如NAA（0。05～1、5mg/L）、IAA（0。2～1、0mg/L）、6-BA（1、0～5、0mg/L）等不同激素組合的多種培養基，培養基pH5、6～6、0，在25～28℃，每天光照9～10h，光照強度1800～1900lx條件下進行組織培養。19d後，莖葉處出現小芽點，約1個月後，小芽伸長，尖端分叉，2個月後，小芽長成高約2、0～2、7cm，具4～8個葉片的試管苗。並發現，在培養基不同配方組合中，MS比B5基本培養基對生長速度具有明顯優勢。

I. 石斛的種植需要什麼土質

石斛的種植需要排水性好、透氣的沙土類土質。
石斛養殖方法：
需用泥炭苔蘚、蕨根、樹皮塊和木炭等輕型、排水好、透氣的基質。同時，盆底多墊瓦片或碎磚屑，以利於根系發育。栽培場所必須光照充足，對石斛生長、開花更加有利。春、夏季生長期，應充分澆水，使假球莖生長加快。9月以後逐漸減少澆水，使假球莖逐趨成熟，能促進開花。生長期每旬施肥1次，秋季施肥減少，到假球莖成熟期和冬季休眠期，則完全停止施肥。栽培2~3年以上的石斛，植株擁擠，根系滿盆，盆栽材料已腐爛，應及時更換。無論常綠類或是落葉類石斛，均在花後換盆。換盆時要少傷根部，否則遇低溫葉片會黃化脫落。
繁殖方法：
常用分株、扦插和組培繁殖。
①分株繁殖
春季結合換盆進行。將生長密集的母株，從盆內托出，少傷根葉，把蘭苗輕輕掰開，選用3~4株栽15厘米盆，有利於成型和開花。
②扦插繁殖
選擇未開花而生長充實的假鱗莖、從根際剪下，再切成每2~3節一段，直接插入泥炭苔蘚中或用水苔包紮插條基部，保持濕潤，室溫在18~22℃，插後30~40天可生根。待根長3~5厘米盆栽。
③組培繁殖
常以莖尖、葉尖為外植體，在附加2，4-D0.15~0.5毫克/升、6-苄氨基腺嘌呤0.5毫克/升的MS培養基上，其分化率可達1:10左右。分化的幼芽轉至含有活性炭。椰乳的MS培養基中(附加2，4--D和6-苄氨基腺嘌呤各0.1毫克/升)，即能正常生長，形成無根幼苗，將幼苗轉入含有吲哚丁酸0.2~0
.4毫克/升的MS培養基中，能夠誘導生根，形成具有根、莖、葉的完整小植株。